小编：Kuai Technology在4月26日报道说，北美技术论坛最近举行了
根据4月26日的Kuai技术，在最近举行的北美技术论坛上，TSMC首次透露了N2 2NM过程率（D0），这比过去7nm，5nm，3nm和其他技术要好。 TSMC没有提供特定的数据，而只会将某些趋势与随着时间的流逝进行比较。 TSMC N2首次引入了完全围绕晶体管的GAFET，并且在批量生产之前还剩两个季度，这意味着它直到年底。在N2测试的最后两个月中，缺陷率同时与N5/N4相似，并且略低，并且明显优于N7/N6和N3/N3P。在从测试到群众生产的六个月中，全面的N7/N6缺陷率最高。 N3/N3P从质量制作中较低，N5/N4较好，并且测试中明显较低。如果N2可以继续N5/N4趋势，那么前景无疑是显而易见的。 ThE TSMC还指出，如果缺乏流程的速度可以迅速降低，不仅取决于其自身的设计和技术，还取决于制造的芯片数量和劳动力的大小。缺陷越大，找到缺陷并改善缺陷就越容易。切入TSMC N2的芯片数量不仅仅是更多，这也是它可以快速降低缺陷率的主要原因。 [本文的结尾]如果您需要打印，请确保指示来源：Kuai技术编辑：Shangfang Wenq
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